DMN61D8LVTQ-7
制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-26
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.8 欧姆 @ 150mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.74nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 12.9pF @ 12V |
| 功率 - 最大值: | 820mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装: | TSOT-26 |